不畏不景氣　三星押注擴廠鎖定先進製程

記者／劉閔

雖然疫情已經逐漸明朗化，但對於全球整體市場經濟來說還是有待觀察，不過韓國三星電子（samsung）似乎不這麼認為，即使全球經濟近於趨緩，但仍然計畫在明年擴展平澤 P3 廠，當中包含 12 吋 DRAM 晶片與 4 奈米晶片產能，並且將要增加至少 10 台 EUV 機台，急追台積電。

就算競爭對手台積電、英特爾、SK 海力士、美光等國際半導體大廠都為了因應市場而做出條整，陸續降低修正明年整體支出來度過這波景氣寒冬，三星這次卻逆向操作，不僅將新設備投入 12 奈米 DRAM，讓月產能可以由 2 萬片提升至 7 萬片，並且將生產先進的 NAND Flash 晶片，搶佔手機與電腦市場。

而不僅在快閃記憶體放大產能，據悉三星也規劃 P3 廠每月的晶圓代工產量提高 3 萬片，並且增加 4 奈米製程。根據外媒指出，三星代工的 4 奈米先進製程已經將良率提升約為 6 成，並且隨客戶需求擴大而投入相關資金，據悉三星投資 4 奈米晶圓代工將高達 40 億美元。

即使全球通膨陰影可能隨時籠罩，三星還是認為為因應中長期需求復甦，不考慮人為減產，今年的支出仍然預估為 54 兆韓元並且按既定計畫執行。三星這波不照本宣科、不隨波逐流的逆向操作，格外引起外界與市場關注。

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