智原與英飛凌聯手 推出聯電40uLP SONOS eFlash平台
記者／鄧君
ASIC設計服務暨IP研發銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE：3035）日前宣布與英飛凌合作推出SONOS嵌入式快閃記憶體（eFlash）平台於聯電40奈米uLP製程。
智原科技表示，此平台包含新開發的eFlash子系統IP及完整的eFlash測試解決方案，具有容易整合、可快速存取閃存資料等優勢，更可加速產品開發時程，協助客戶更輕鬆地採用該快閃記憶體技術；並同時透過內建自檢功能（BIST）來簡化SONOS eFlash測試，為客戶提供紮實的品質優勢。
為滿足人工智能、智能電網、物聯網和MCU等應用對40奈米低功耗及資料安全的eFlash需求，智原聯手英飛凌合作開發這套SONOS eFlash平台，主要包括快閃記憶體區塊、控制器、以及新開發的eFlash子系統IP。
其中子系統IP整合匯流排介面電路與時脈整合電路等，並提供自動完成eFlash初始化、簡化資料抹除與寫入操作流程、以及對快閃記憶體的讀寫保護和模擬隨機寫入緩衝區等功能，協助客戶輕易整合與使用SONOS eFlash IP。此外，內建BIST的子系統只需採用一般的檢測儀器做測試，確保快閃記憶體量產時的品質及可靠性，可減少檢測時間。
英飛凌記憶體解決方案部資深總監Vineet Agrawal表示，很高興與智原合作，為客戶開發這套SONOS eFlash平台。40uLP SONOS eFlash在過去幾年已交付許多量產專案，未來結合智原完善的IP子系統、多元的IP產品和測試解決方案，相信可以協助智原的客戶加快拓展高性能和低功耗產品。
智原科技營運長林世欽表示，英飛凌的SONOS eFlash技術已在40奈米製程中獲得多項市場應用的驗證。透過英飛凌在聯電40uLP SONOS eFlash的優勢，相較其它市面上的eFlash方案可使用更少的光罩層數而縮短生產週期。搭配此新平台和智原完全相容於40uLP SONOS eFlash製程的豐富IP資源，可以進一步協助客戶輕鬆實現新一代晶片設計的成本、功耗和性能需求。
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