陽明交大攜手工研院 開發磁性記憶體技術

因應MRAM需求高寫入效率、低電阻，以及為追求低損傷的磁性多層膜蝕刻技術，讓陣列晶片達高良率、高穩定度，材料選擇堪稱關鍵；陽明交大攜手工研院合作共同開發先進磁阻式記憶體(MRAM)，成果皆發表在VLSI超大型積體技術及電路國際會議。

陽明交大材料所曾院介教授、電子所侯拓宏教授協助工研院開發新穎自旋軌道磁矩磁阻記憶體(SOT-MRAM)，藉反鐵磁材料產生偏置場，從而穩定自由層磁矩方向，並透過自旋軌道力矩改變偏置場方向，使記憶位元的0與1都能更加穩定，熱穩定性大幅上升，更適合於高溫環境下應用。這個SOT-MRAM規格擁有0.4奈秒高速寫入、7兆次讀寫高耐受度的特性。

MRAM 屬於非揮發性記憶體技術，是利用具高敏感度的磁電阻材料製造的記憶體，斷電時，所儲存的資料不會消失，其耗能低、讀寫速度快、兼具處理與儲存資訊功能，且資料保存時間長，適合需要高性能的場域。MRAM被期待可於5G、大數據、AI人工智慧與物聯網科技、航太領域、量子電腦以及車用電子等前瞻應用扮演關鍵角色。

自旋電子學(spintronics)是MRAM核心知識，且是奈米級電子學的一個新興領域，需要電子、材料、物理跨域人才投入；曾院介教授強調，台灣擁有很多半導體專家，但自旋電子學專家卻非常稀少，主要原因就在於它的跨領域特性，要懂「電」又要懂「磁」，同時要了解在不同材料系統下兩者的交互影響，跨入的門檻相對較高，期許陽明交大學子投入此領域深耕，凸顯自己在半導體專業上的特殊性。（記者／白水堯）

瀏覽 1,125 次