第四波工業革命  三星公布新快閃技術

韓國科技龍頭三星在今年的Samsung Tech Day上，公開旗下最新的晶片。同時也公開了粗略的半導體業務相關的計畫，其中包含DRAM和NAND快閃的發展。Samsung Tech Day完整揭示了三星目前的發展進度，以及對於未來的目標與展望。

三星總裁兼系統LSI業務負責人Yong-In Park表示，三星將為整體解決方案供應商帶來第四波「工業革命」，而三星將會整合與Soc、感應器、DDI等產品的相關技術。

三星所謂的「第四波工業革命」，其焦點集中在製造業「自動化」、「數位化」。三星確實擁有雄心壯志，因為三星志在將這類晶片性能發展到像人類一樣的水準。不過，目前三星並沒有提供該計畫相關的時間序。

三星在Samsung Tech Day前，也曾經公開介紹過其2025年2奈米晶片的生產計畫，以及2027年1..4奈米晶片計畫。目前，三星正在開發第五代10奈米DRAM，預期會在2025年生產。不過，三星也正在開發其他技術，包含High-K技術，將用來進行更小的製程節點（process nodes）生產DRAM。

三星還有一項快閃技術正在開發 – 第九代V-NAND。三星表示第八代的512Gb三層單元（triple-level cell, TLC）產品將會加入1Tb TLC版本。第九代還正在開發中，預期將會在2024年進行生產。

在快閃技術上，三星預期其快閃產品到2030年將會超過一千層。三星也將焦點放在追求更快速、大容量的快閃產品上，因為三星注意到人智慧和大數據正在推動該領域發展。目前三星正在計畫將朝著四級單元（quad-level cell, QLC）V-NAND方向前進。

除此之外，三星更打算擴大貿易夥伴關係，將會設立三星內存研究中心（SMRC），客戶將能測試三星內存和軟體，而韓國是三星第一個要在今年開放的SMRC。三星更已經規劃要和Red Hat、Google合作，未來三星將會在世界各地推出中心。（編譯／施毓萱）

資料來源：the Register

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