近日有研究團隊使用具有窄線寬的193 nm固態雷射取代ArF振盪器，開發出名為「混合ArF準分子雷射
編譯／高晟鈞 示意圖：123RF 光子晶片的問世，徹底改變了數據密集型技術。這些由雷射光所驅動的設備
編譯／高晟鈞 美國國家可再生能源實驗室（NREL）和薄膜光伏製造商First Solar使用裂紋薄膜
極紫外光刻機（Extreme ultraviolet lithography，簡稱EUV）是極紫外光
半導體巨頭台積電宣布，將擴展其美國北鳳凰城晶圓廠的人才培育計畫，預計在2025年前新增超過130名註
中國在半導體設計和製造的大多數方面都落後於全球，包括 EDA 軟體和光刻設備等關鍵投入，然而，華為海
明尼蘇達大學的研究團隊，開發了一種具有高度導電性的透明半導體材料，具有特殊的薄層結構，對光線完全透明
台積電將成為繼英特爾後，第二家獲得最先進極紫外光（High-NA EUV）設備的晶片製造公司。據《日
IC 設計廠商神盾科技5日宣布，與國知名晶片設計公司愛偲科技（ASICLAND）簽署戰略合作協議，將
艾司摩爾（ASML）在其最新財報中透露，美國對其先進晶片製造設備出口中國的限制，將對其在中國的銷售產
