夢想奈米材料 MXene量產取得突破
編譯／高晟鈞
研究人員利用MXene表面附著的分子的磁輸運特性開發了分析模型。性能預測和分類系統的建立有望用於生產品質均一的MXene。
MXene的價值
MXene於2011年開發是一種金屬層和碳層交替的二維奈米材料，具有高導電性，可與各種金屬化合物結合，使其成為可用於半導體、電子裝置、和感測器。
而倘若要發揮MXene的最大價值，了解其表面所覆蓋的分子類型與數量非常重要。若MXene表面覆蓋的是氟，則會降低其導電率與電磁波屏蔽的效率。另一方面，由於MXene的厚度僅為一奈米，即使使用了高性能電子顯微鏡，也需要耗費數天的時間才能成功解析其表面的分子，因此迄今為止，都還無法實現大規模地生產。
MXene表面分析的突破
近期，來自韓國科學技術研究院的教授Seung-Cheol Lee領導的研究團隊利用了MXene的磁阻抗特性，可以透過簡單的方式測量其分子分佈，有望實現迄今為止難以實現的大規模生產。
研究小組基於電導率或磁性能根據附著在表面的分子而變化的想法開發了二維材料性能預測程序。最終，他們成功在正常大氣壓與室溫下，分析了MXene的分子類型與數量，並無需其他額外設備進行輔助。
霍爾散射因子及其應用
霍爾散射因子是描述半導體材料的電荷攜帶特性的物理常數，根據不同的取值，會有不同的應用。
如果該值低於1，則可以應用於高性能電晶體、高頻產生器、高效感測器和光電探測器，如果該值小於1，則可以應用於高性能電晶體、高頻產生器、高效感測器和光電探測器。大於1，可應用於熱電材料和磁性感測器。
資料來源:SciTechDaily
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