記憶體大躍進　三星12奈米製程浪潮即將來襲

記者／劉閔

全球最大記憶體晶片製造商三星電子（Samsung）近日宣布，成功開發首款採用 12 奈米製程技術所打造的 16 GB DDR5 DRAM，並且也完成與 AMD 架構處理器相容性方面的評估，預計在 2023 年進行量產。

三星表示，這項關鍵技術突破主要是藉由新型 High-K 材質來改善關鍵電路特性，並結合 EUV微影技術，完成超越現有業界所能生產出的顆粒密度。將在未來廣泛應用在高質量運算、資料中心和人工智慧等領域。

根據數據顯示，新款的 DRAM 在擁有最高的裸片密度情況下可以使晶圓生產率提高 20%；而依據最新 DDR5 規範，三星這次 12 奈米級 DRAM 將可提供高達 7.2 Gbps 的傳輸速度，相當於 1 秒內可以處理兩部 30 GB 的 UHD 電影。與上一代相比，12 奈米級 DRAM 不僅效能優越提升在功耗反而降低約 23%，將成為追求環保的理想解決方案。

其合作廠商 AMD 高級副總裁同時兼任計算和圖形首席技術官 Joe Macri 表示「創新通常需要與同行合作夥伴密切合作，以推動技術的發展」，並補充說到「我們很高興這次與三星合作，特別是在推出 Zen 平台上經過優化和驗證的 DDR5 記憶體產品。」

最後三星也指出，若順利在 2023 年大規模生產，計畫將此尖端 12 奈米製程工藝技術建構在更廣泛的市場領域，並且透過持續與行業夥伴合作，加速推動下一代計算快速發展。

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