英特爾18A製程追平台積電N2 成功原因歸功於「這技術」

編譯／莊閔棻

英特爾的18A製程近日傳出重大突破，其SRAM電晶體密度與台積電N2製程相當，顯示英特爾在半導體領域的競爭力大幅提升。這一發展代表該公司的晶圓代工業務（IFS）迎來新局，可能對全球半導體市場格局產生深遠影響。

18A製程效率大幅提升

據報導，英特爾18A製程的成功，部分歸功於晶背供電（Backside Power Delivery Network、BSPDN）技術的應用。此技術將電力供應移至晶圓背面，提升電源效率與訊號完整性，成為業界少數採用該技術的領先製程。這項創新不僅提高了晶片效能，也讓英特爾在先進製程的競爭中取得優勢。

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SRAM密度媲美台積電

根據最新報告，英特爾18A的高密度SRAM版本在大陣列配置下，已經達到38.1Mb/mm²的位元密度，與台積電N2製程的SRAM性能相當。然而，不同SRAM設計的密度會有所變化，因此英特爾18A的實際競爭力仍需透過量產與良率表現來驗證。

台積電N2技術升級

另一方面，台積電N2製程也不遑多讓，透過整合環繞閘極（GAA）技術提升SRAM密度12%，而高效能SRAM更實現了18%的增幅。N2製程最大的變革在於捨棄傳統FinFET，改採「奈米片」（nanosheet）架構，使製程技術更加精細，提升晶片效能與客製化能力

半導體供應鏈影響成關鍵

隨著台積電與英特爾之間的半導體競賽愈發激烈，市場關注的焦點將集中在這些先進製程如何在供應鏈中展現實際效益與產量表現。未來誰能在這場技術與產能的較量中脫穎而出，仍需拭目以待。

參考資料：wccftech

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