2025年半導體產業競爭白熱化 輝達、台積電先進封裝全新戰略
編譯／莊閔棻
隨著人工智慧（AI）應用的快速發展，2025年將成為半導體產業的重要轉折點。輝達、台積電、英特爾和三星等科技巨頭，都正積極調整其先進封裝技術戰略，以應對市場需求，並在全球競爭中保持領先地位。
輝達轉向CoWoS-L
輝達執行長黃仁勳近日就宣布，旗下最先進的AI晶片Blackwell將從現有的台積電CoWoS-S（Chipon Waferon Substrate-Silicon）封裝技術，轉向更新的CoWoS-L（Local Silicon Interconnect），顯示出輝達對於晶片效能與封裝靈活度的高度重視，並希望藉由CoWoS-L技術，克服大型AI晶片內部互連的挑戰。
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CoWoS-S封裝技術雖然可透過單一矽中介層與矽穿孔（TSV）實現高速訊號傳輸，但因大型矽中介層的良率問題，影響生產效率。相較之下，CoWoS-L則透過局部矽互連（LSI）與再分佈層（RDL）形成重組中介層（RI），不僅能降低良率風險，還提升封裝設計的彈性。
台積電擴充先進封裝產能
與此同時，為滿足輝達等大客戶日益增長的需求，台積電則正積極擴展其先進封裝產能，預計2025年將進一步擴充CoWoS-L產線。根據市場調研機構TrendForce的報告，輝達將在2025年大力推動B300和GB300產品線，這些產品均採用CoWoS-L技術，將帶動高階封裝需求激增。
值得注意的是，台積電的封裝產能雖然已擴展至兩年前的四倍，但仍面臨產能瓶頸的挑戰，特別是在AI應用的強勁需求驅動下，市場對於CoWoS-L的需求預計將在2025年進一步攀升。
半導體產業競爭白熱化
除輝達與台積電之外，英特爾和三星等競爭對手，也正在加大在先進封裝技術上的投資，力圖在這場半導體競爭中分得一杯羹。英特爾正在積極推廣其Foveros 3D封裝技術，而三星則致力於推進I-Cube、X-Cube和3D HBM記憶體整合技術，搶攻AI與高效能運算市場。
三星3奈米製程急需外援
然而，近日也有消息指出，為解決其3奈米「環繞式閘極」（GAA）製程低良率的困境，三星正試圖與台積電合作，共同生產其Exynos晶片組，然而，這項合作最終未能成真。
三星在其3奈米GAA製程上的進展並不順利。根據業界報導，三星的第一代與第二代3奈米製程原定目標良率為70%，但目前的實際良率僅達到20%，遠低於預期。相較之下，台積電的2奈米試產良率已達60%，顯示出明顯的技術優勢。
先進封裝成半導體決勝關鍵
隨著AI、高效能運算（HPC）和雲端運算對於晶片效能需求的持續增長，先進封裝技術將成為未來半導體產業競爭的關鍵。2025年，輝達與台積電的合作將進一步深化，並可能決定全球半導體市場的競爭格局。
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