台積電購入新EUV 預計2030邁入1nm製程

編譯／高晟鈞

隨著1nm晶片競賽腳步加快，台積電將成為繼英特爾後，第二家獲得最先進極紫外光（High-NA EUV）設備的晶片製造公司。據《日經亞洲》報導，台積電將於今年底於新竹的研發中心安裝來自荷蘭ASML的高數值孔徑極紫外光微影系統。

ASML新一代的High-NA EUV曝光機

艾司摩爾（ASML）的高數值孔徑EUV設備，是2奈米製程節點晶片的必備設備，每台的成本超過3.5億歐元（3.73 億美元），一年僅生產5至6台。而截至明年，大部分高數值孔徑EUV設備的訂單，已經由英特爾包辦。

今年四月底時，英特爾宣布完成業界第一台商用高數值孔徑極紫外光High NA EUV曝光機的組裝，並在日前完成第二台組裝，預計在2027年啟用，企圖強勢回歸半導體技術龍頭。

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台積電方面，考量到高數值孔徑EUV的要價昂貴，以及開發與評估工作所耗費的時間，因此雖將其納入技術升級路線圖裡，但計畫在2025年末推出的2nm製程（A16），將繼續沿用目前的EUV微影系統。據報導，台積電的目標是最早在2028年開始在1.4nm（A14）節點，2030年開始1nm（A10）節點採用高數值孔徑的EUV微影系統。

美國制裁推動中國實現光刻自主

對於中國來說，美國制裁使其無法購買EUV系統，而其能獲得的上一代DUV系統，意謂著製成的上限為5奈米。上海微電子設備有限公司（SMEE）製造的國產光刻設備，在65奈米以下雖具有商業可行性，但用於28奈米製程節點的光刻系統卻面臨瓶頸。相較之下，艾司摩爾從首款EUV系統出貨到大批量生產，花了六年時間，並經過10年的研發才能夠出貨第一台高數值孔徑EUV光刻系統。

然而，制裁卻也激勵的中國各項技術的開發，畢竟就連最先進的IC製造商三星與SK海力士，都並未開發屬於自己的光刻設備。其中，包括華為在內的中國各大公司與實驗室，著眼於結合矽積體電路與光學的矽光子學，因無需使用EUV微影，即可處理和傳輸大量資料而大放異彩。

一些專家認為，矽光子將顛覆半導體產業，甚至重新定義美國與中國的技術競爭戰線，使得晶片制裁變得毫無意義。同時，矽光子的突破將幫助中國在人工智慧領域保持競爭力。

資料來源:Asiatimes

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