SK海力士宣布年底量產HBM3E 輝達AMD將成首批客戶
編譯／莊閔棻
南韓記憶體巨頭SK海力士宣布，正式開始量產全球首款12層堆疊HBM3E記憶體，總容量達到36GB，較先前8層配置的24GB大幅提升，這一創新設計透過將每個DRAM晶片的厚度減少40%實現，能在堆疊更多層數的同時，保持相同的體積，預計在2024年底開始大規模出貨。
高速傳輸帶動AI計算效率
據報導，HBM3E記憶體支援9600MT/s的頻寬，若使用八層堆疊配置，其有效速度可達1.22TB/s，這一提升使其在處理需要高速和大容量的生成式AI，及大規模語言模型（LLMs）工作負載時表現出色，更高的數據處理能力將使AI模型運行更有效率。
海力士技術突破助力高效散熱
為實現先進的記憶體堆疊，SK海力士採用了創新的封裝技術，包括穿矽通孔（TSV）和MR-MUF堆疊工藝，這些技術對於保持HBM3E的結構完整性與散熱性能非常重要，特別是在AI工作負載下進行高性能運作時，優異的散熱性能能確保其穩定性。
HBM3E提高穩定確保長期耐用
除速度和容量的提升外，HBM3E還具備更強的穩定性，SK海力士專有的封裝技術確保在堆疊過程中能最大限度減少翹曲問題，而MR-MUF技術則能更好地管理內部壓力，降低機械故障風險，確保長期耐用性。
輝達與AMD將率先採用
該款12層HBM3E記憶體的早期樣品已於2024年3月開始供應，預計輝達的Blackwell Ultra GPU和AMD的Instinct MI325X加速器，將是首批採用這款高階記憶體的硬體設備，這些硬體可支援高達288GB的HBM3E記憶體，滿足複雜的AI計算需求。
SK持續領先AI記憶體市場
SK海力士AI基礎設施總裁Justin Kim表示，「SK海力士再次突破技術極限，展現我們在AI記憶體領域的領導地位，未來我們將繼續保持全球AI記憶體供應商的第一地位，並穩步準備下一代記憶體產品，應對AI時代的挑戰。」
參考資料：TechRadar
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