領先業界  三星開始量產第九代V-NAND

編譯／莊閔棻

韓國科技巨頭三星宣布推出NAND（V-NAND）技術最新創新，為儲存能力帶來重大飛躍。該公司第九代 V-NAND 擁有至今為止最高的位元密度，並有望徹底改變高效能固態硬碟 （SSD）市場。

滿足客戶AI需求

據報導，三星透露其第九代 V-NAND 已開始量產，是半導體技術的里程碑式成就。這項創新專為滿足不斷發展的人工智慧（AI）世代的需求量身打造，為高密度儲存解決方案樹立了新標準。隨著AI訓練及推論領域快速成長，企業客戶對高容量NAND Flash需求正不斷增加。

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超越第八代

透過製造具有至今為止最小單元大小和最薄模具的晶片，比其於2022年推出的第八代前身，新1太位元（Tb）三層單元（Triple-level cells、TLC）的 V-NAND位元密度，提高了高達50％。在效能上，最新的V-NAND整合了NAND​​介面Toggle 5.1，資料輸入、輸出速度高達3.2Gbps，較前代產品大幅提升33％。 此外，功耗降低了 10%，提高了能源效率。

技術大突破

第九代V-NAND還引入了雙層結構，包含兩層垂直分層單元而不是一層。 三星在這些疊層上創新地應用了通道孔蝕刻（channel hole etching）技術，在分層電池上打孔以形成電子通道，層數越多就越困難。三星還採用先進技術，減輕電池干擾並延長電池壽命，確保無與倫比的可靠性和耐用性。

鞏固行業領導地位

此外，第九代V-NAND也支援PCIe 5.0接口，頻寬是PCIe 4.0的兩倍達到32GT/s。這一進步使三星成為高性能 SSD 市場的領導者，鞏固了其在行業中的領導地位。雖然 TLC 型號已經投入生產，但三星計畫在今年下半年開始量產四層單元（QLC）型號，該型號每個單元能夠儲存 4 位元資料。

參考資料：zdnet

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