三星今年擬提高2倍HBM產量，AI帶起高性能、大容量記憶體需求

文／鉅亨網

全球最大的記憶體晶片製造商三星電子公司，正計畫在人工智慧晶片領域取得領先地位，預計將今年高頻寬記憶體晶片 (HBM) 的產量，較去年提高兩倍。

周二 (26 日) 在加州聖荷西舉行的全球晶片製造商聚會 Memcon 2024 上，三星公司執行副總裁兼 DRAM 產品和技術主管 Hwang Sang-joong 表示，他預計該公司將增加 HBM 晶片產量今年產量是去年的 2.9 倍。

這項預測高於三星今年稍早在 CES 2024 上公布的預測，即該晶片製造商到 2024 年 HBM 晶片的產量可能會增加 2.5 倍。

Hwang 在 Memcon 2024 上說：「繼第三代 HBM2E 和第四代 HBM3 已經量產後，我們計畫在今年上半年，大批量生產 12 層第五代 HBM 和 32GB 128GB DDR5 產品。」

「透過這些產品，我們期望增強我們在人工智慧時代高性能、大容量記憶體領域的地位。」

會上，三星公布了 HMB 路線圖，預計 2026 年 HBM 出貨量將是 2023 年產量的 13.8 倍。 到 2028 年，HBM 年產量將進一步增至 2023 年水準的 23.1 倍。

在會上，三星向與會者展示了最新的 HBM3E 12H 晶片—業界首款 12 堆疊 HBM3E DRAM，標誌著 HBM 技術有史以來最高容量的突破。

三星目前正在向客戶提供 HBM3E 12H 晶片樣品，並計劃在上半年開始量產。

會議參與者包括 SK 海力士公司、微軟、Meta Platforms、Nvidia 和 AMD。

在 Memcon 2024 上，三星還推出了其 Compute Express Link (CXL) 記憶體模組產品組合的擴展，並展示了其最新的 HBM3E 技術，鞏固了在面向人工智慧應用的高性能、 大容量解決方案。

三星電子美國設備解決方案研究中心 – 內存公司執行副總裁 Jin-Hyeok Choi 以及公司執行副總裁、DRAM 產品和主管 SangJoon Hwang 三星電子的技術人員 上台介紹了新的記憶體解決方案，並討論了三星如何在人工智慧時代引領 HBM 和 CXL 創新。

三星指出，這次推出的 CXL 記憶體模組 – Box (CMM-B)，是一款尖端的 CXL DRAM 記憶體池產品，突顯了 CXL 生態系統的成長動能。 三星 CMM-B 可容納八個 E3.S 外形尺寸的 CMM-D 設備，並提供高達 2 TB 的容量。 巨大的記憶體容量由高達 60 GB/s 的頻寬和 596 奈秒 (ns) 的延遲的高效能支持，可以服務於需要大容量記憶體的各種應用，例如 AI、記憶體資料庫 (IMDB) ）、資料分析等。

（本文已獲鉅亨網同意授權刊出）

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