德州儀器日本會津廠擴大生產氮化鎵 主打節能、體積小、高功率優勢

記者／孫敬 Archer Sun

德州儀器（TI）上週已宣布日本會津的工廠開始生產氮化鎵 （GaN） 功率半導體。會津廠進入生產之後，再加上德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI表示GaN功率半導體的自有產能，可增加至四倍之多。

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德州儀器持續擴大GaN製造作業，體積更小功率更高

「以超過十年的GaN晶片設計與製造專業知識，我們已成功驗證8吋GaN技術，並在會津展開量產；這是現今擴充性最高且最具成本競爭力的GaN製造技術。」TI技術與製造資深副總裁Mohammad Yunus表示，這將有助於更多的GaN晶片自有產能，並在2030年前將內部製造的比率提升至95%以上。

GaN做為矽的替代半導體材料，可在許多領域中提供優勢，包括節能、開關速度、電源解決方案尺寸與重量、整體系統成本，以及在高溫與高壓條件下的性能等。GaN晶片可提供更高的功率密度，在更小的空間提供更多功率，使其能應用於筆記型電腦或行動電話的電源轉接器，或是更小、更節能的加熱與空調系統和家用電器馬達。

TI提供整合式GaN功率半導體產品組合，從低電壓到高電壓都包含在內，藉此實現最為節能、可靠且具高功率密度的電子產品。

「利用GaN，TI就能更有效率地在小巧的空間中提供更高效的功率。」TI的高電壓電源副總裁Kannan Soundarapandian指出，諸如伺服器電源、太陽能發電和AC/DC轉接器等系統的設計師正面臨必須要減少功耗並提升能源效率的挑戰，他們對於TI高性能GaN晶片可靠供應的需求也與日俱增。TI的整合式GaN功率級產品組合讓客戶可實現更高的功率密度、提升易用性，並降低系統成本。

此外，TI的專利矽基氮化鎵製程、經過超過8,000萬小時的可靠性測試，並具備整合式保護功能。

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