來自名古屋大學的研究團隊開發了氮化鎵（GaN）晶體的新生長方法，利用電漿（等離子體）產生活性氮取代傳
近日亥姆霍茲德勒斯登羅森多夫中心（HZDR）在雷射等離子體加速方面取得了重大進展。透過創新方法，研究
來自耶拿大學和耶拿亥姆霍茲研究所的一個國際研究小組，正在揭開高強度雷射脈衝在固體表面產生電漿體機制的
日本大阪公立大學（Osaka Metropolitan University）一項新研究表明，經過一
科學家開發出模擬電漿新程式碼，能降低微晶片生產成本。圖／截取自 Phys.org
