Å世代前瞻半導體3大計畫　鞏固台灣國際領先地位

記者／陳士勳

國科會為了拓展台灣在半導體領域中的巨大潛力，積極推動「Å世代前瞻半導體專案計畫」，該計畫將布局下1個10年半導體產業所需前瞻元件與電路、材料、製程檢測技術，並細分「半導體設備」、「關鍵材料」、「A世代半導體技術」等3個分項計畫，藉此探索2030年等效次奈米半導體量產技術關鍵問題，維持台灣半導體產業持續領先的地位。

鞏固台灣半導體的國際地位

談到台灣半導體在國際產業上優勢，國科會表示，目前台灣的領先優勢並非全無挑戰，一方面，世界各國皆開始傾力扶植半導體產業，另一方面，半導體元件的傳統微縮方式逐漸接近其物理極限，未來的技術發展有很大的不確定性，如沒有破壞性的技術突破，未來的半導體技術很有可能無法持續降低功耗以滿足更多樣的運算需求，製造成本也無法有效隨著技術推進而下降，恐怕會大幅降低半導體元件微縮的經濟誘因，進而扼殺整體半導體產業的發展動能，因此，勢必得盡早規畫新的藍圖。

「Å世代前瞻半導體專案計畫」成創新解決方案

國科會指出，「Å世代前瞻半導體專案計畫」的出發點是希望以「科學超前佈署」的創新思維，突破現有框架的創新解決方案，同時該計畫訂立極具困難之挑戰性目標，引導並鼓勵學界勇於提出不同於現有技術之破壞性解決方案，及所開發之先期技術成果未來將技轉予國內半導體產業，進行量產可行性評估，且有效降低產業路線探索（pathfinding）過程之風險，並培育基礎科研人才，為我國產業在下世代半導體元件技術奠定基礎。

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3大分項計畫建立國家經濟安全基石

談到該計畫預期效益，國科會說明，「Å世代前瞻半導體專案計畫」又可細分成3大分項計畫，首先，半導體設備著重Å尺度半導體檢測技術，建立可用於檢測結構與化學成份之Å尺度解析力的影像及能譜技術及半導體與多層結構介面和表面Å解析度缺陷檢測分析，以規劃長遠滿足製程in-line的檢測需求。

第二，關鍵材料方面，則挑戰物理極限半導體元件材料，並開發大面積高品質低維半導體材料生長技術、低維半導體元件之關鍵技術、新功能性低耗能元件材料之操控技術及產業應用潛力技術。

第三，提及「A世代半導體技術」，更要多加挖掘次奈米半導體元件與晶片關鍵技術，研發高密度三維積體電路技術，將目標設定在晶片密度與成本達2030年等效1奈米技術指標，期許改善2020年現有技術達32倍成效，更建立極低能耗開關元件與超高能效運算架構，使挑戰元件能耗與晶片能效達2030等效1奈米技術指標，也能分別較2020年現有技術達50倍與1千倍之改善，穩固國家經濟與安全的基石。

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