專注開發下一代3D DRAM　三星在矽谷設立新實驗室

記者／竹二

為了穩固在全球半導體市場的地位，三星專注於開發下一代3D DRAM，根據外國媒體報導，為了達到這個目標，三星已經在美國設立一間新實驗室，該實驗室隸屬總部位於美國矽谷，負責三星在美國半導體生產Device Solutions America（DSA），將負責開發升級的DRAM模型，讓三星在全球3D記憶體晶片市場能居於領先地位。

三星積極開發下一代3D DRAM

所謂的3D DRAM，是指採用3D製程製造的DRAM，透過將晶片、記憶體模組等堆疊的方式，可以更好利用物理硬體限制，像是3D快取是在製造過程中堆疊普通CPU L3快取，藉此提高載板記憶體容量，3D DRAM可以說是半導體行業未來的增長動力。

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根據韓媒The Korea Times報導，三星已經在美國設立一間新實驗室，成立新的記憶體研發組織，專注開發新一代3D DRAM，希望確保差異化技術的競爭力。消息人士透露，新實驗室位於矽谷的DSA部門，負責三星在美國的半導體生產。

3D DRAM發展有助PC硬體進步

其實三星在去年10月就透露過，他們正在為10奈米以下的DRAM準備新的3D結構，以實現更大的單晶片容量，可超過100 gigabits。據悉，三星在3D DRAM的研發有助於推動記憶體容量發展，而在CPU製造過程中採用3D堆疊技術增加L3快取，已經證明是一種有效的方法，可以顯著提高容量和性能，應對受限的工作負載量。

市場人士分析，三星繼續推進3D DRAM的發展，有助於整體運算市場，提升高階記憶體容量、降低入門級的成本，為PC相關硬體帶來重大的進步，伺服器運營商是最有望先受惠的族群。

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