工研院與台積電合作開發SOT-MRAM元件　搶攻高速運算領域商機

記者鄧君／新竹報導

經濟部補助工研院與台積電合作，攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque MRAM；SOT-MRAM）陣列晶片搭配創新的運算架構，適用於記憶體內運算，且功耗僅為STT-MRAM的百分之一，成果領先國際，並在全球微電子元件領域頂尖會議之「國際電子元件會議」（International Electron Devices Meeting；IEDM）共同發表論文，展現次世代記憶體技術的研發能量，維持臺灣半導體在全球產業不可或缺的地位。

經濟部產業技術司表示，隨著 AI 人工智慧、5G與AIoT時代的來臨，需要快速處理大量資料，因此更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體成為重要的關鍵。經濟部支持產業與相關法人建立深厚的前瞻記憶體研發能量，期待技術成果可以逐步在產業落實。這次藉由工研院與台積電雙方共同合作，強強聯手，發表重要研發成果，來引領產業加速躋身下世代記憶體技術領先群，維持臺灣半導體的國際競爭優勢。

工研院電子與光電系統所所長張世杰指出，工研院和台積電繼去年在全球半導體領域頂尖之「超大型積體技術及電路國際會議」（Symposium on VLSI Technology and Circuits）共同發表論文之後，今年更開發出兼具低功耗、10奈秒（nanoseconds；ns）高速工作等優點之SOT-MRAM單元，並結合電路設計完成記憶體內運算技術，進一步提升運算效能，跳脫了MRAM已往以記憶體為主的應用情境，雙方將研發成果共同發表在IEDM 2023。未來此技術可應用於高效能運算（High Performance Computing；HPC）、AI人工智慧及車用晶片等。

工研院致力推動國內半導體市場開啟新興應用，擘畫《2035技術策略與藍圖》作為研發方向，在「智慧化致能技術」應用領域，研究發展非揮發性記憶體創新技術，期望開拓新記憶體市場的新星，協助國內產業界，發展高價值的技術與產品。

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