氮化鎵台廠首度合作日本NTT-AT  鴻鎵快充、半導體一把抓

記者／周子寧

台廠首家!氮化鎵廠商鴻鎵科技正式啟動日系供應鏈。鴻鎵科技致力於氮化鎵（GaN）相關研發，專注提供節能省電的功率半導體元件及終端產品，近年與日本電信集團子公司NTT-AT合作，將氮化鎵快充導入日本市場；今年鴻鎵科技預計除了與手機大廠進行共同開發，將GaN功率元件積極推進國際市場。

鴻鎵科技與日本電信集團子公司NTT-AT合作，將氮化鎵快充導入日本市場，成為台灣第一家與日本大廠合作的GaN廠商，鴻鎵科技提供65W氮化鎵快充，並通過日本PSE認證；雙方也將持續擴大合作領域，開發新款100W氮化鎵快充，估計今年便可問世。

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鴻鎵科技在半導體相關技術研發上也頗有成就，利用抗靜電技術解決半導體封裝製程中的靜電問題。全球大廠爭相進入2奈米時代，但緊隨而來的是在封裝過程中，將遇到的嚴重靜電效應、生產良率降低等問題。鴻鎵科技針對此類問題，推出全新領先全球耐高溫300℃、具高耐磨特性的抗靜電技術，可應用於GaN封裝製程良率提升。

鴻鎵科技表示，公司研發團隊長期致力於半導體等級新材料的研發，而公司最新抗靜電技術，可於金屬材料表面形成一層緻密、耐高溫的抗靜電層，於表面生成高耐磨且壽命長的奈米級鍍膜，精準控制表面電阻值在10⁵到10⁹ Ω區間，有效防止靜電的累積。

抗靜電技術不僅在生產過程中提供可靠的防禦，還能確保半導體設備在使用中不會受到靜電的影響，提高產品可靠度，以及延長設備使用壽命。除此之外，該技術不受元件尺寸限制，成本也較現有抗靜電鍍膜技術具競爭力，同時可廣泛應用於半導體製造的製造、封裝和測試等環節；目前已送樣封測大廠測試中，受此技術影響，預估今年在先進鍍膜業績上便會迅速見漲。

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