氧化鉿 揭開下一代半導體的秘密

編譯/高晟鈞

研究人員利用超高真空原子力顯微鏡,在鉿鋯氧化物中發現了獨特的環境誘導所產生的鐵電相變現象。而這也成為了開發先進半導體的重要材料。

研究人員開發出先進半導體的重要材料。(示意圖/123RF)

氧化鉿

氧化鉿具有鐵電性,這也意味著,即使在沒有電源的情況下,他們也可以長時間存儲數據。這將在開發新的非易失性存儲技術方面發揮關鍵作用。創新的非易失性存儲器應用將通過減輕數據持續傳輸到短期存儲器所產生的熱量,為創建更大、更快的電腦系統鋪平道路。

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表層與內存的應用

用於存儲器的材料具有表層或是死層(Dead Layer),兩者都會干擾材料存儲信息的能力。隨著材料不斷地縮小,死層的影響甚至足以使其功能完全失靈。科學家通過改變大氣環境,對氧化鉿材料的表層進行調整,將材料從反鐵電態,轉變成具有鐵電性。

更具體而言,研究團隊將環境大氣轉變成一個近乎絕對真空的狀態,將大氣中的所有氣體去除到可以忽略不計的水平,最終利用超高真空原子力顯微鏡來對材料進行測量。

半導體的未來

該團隊希望他們的研究可以起到拋磚引玉的作用,激發新的半導體研究。

研究團隊之一的研究員Kyle Kelly表示:「未來的研究可以將這些知識擴展到其他系統,以幫助我們了解界面如何影響設備屬性。通常,當尺寸縮小到奈米時,界面會破壞你的鐵電特性。在這個例子中,它向我們展示了從一種物質狀態到另一種物質狀態的轉變。」

資料來源:Scitechdaily

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