工研院攜手台積電開發前瞻磁性記憶體  科技半導體先進製程新物

科技始終來自於人性，為了半導體先進製程新星，台灣工研院日前宣布，未來將與晶圓代工龍頭廠台積電來合作，將開發具有前瞻的自旋軌道扭矩磁性記憶體（SOT-MRAM）陣列晶片，它可以用來應用於相關人工智慧、車用電子及高效能運算等領域。

據了解，工研院電子與光電系統所的所長張世杰提到，磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）有靜態隨機存取記憶體（SRAM）的寫入與讀取速度，它能具備快閃記憶體非揮發性，近幾年來，已經成為半導體業界的先進製程、下世代記憶體與運算的新事物。

張世杰也提到，關於記憶體，若在高寫入速度的前提下，操作時使用的電壓電流愈小，所代表的效率愈高。對此，工研院與台積電也將共同開發的 SOT-MRAM 技術，具備了可以高寫入效率與低寫入電壓特性。而讀寫次數比比利時的 imec 技術也可以多上100倍。

張世杰也強調，除可達到 0.4 奈秒高速寫入，還可以在操作時達到 7 兆次讀寫的高耐受度，而在讀寫次數，也可以比在歐洲半導體研究機構比利時微電子研究中心（imec）的技術與速度更多 100 倍，而且還能超過 10 年資料儲存的能力，它還可以整合成為先進製程嵌入式的記憶體，較為適合應用在高科技人工智慧、車用電子、高效能運算晶片等領域。（記者／宋柏瑜）

圖片來自：123RF

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