韓國產業不畏發展限制　三星與SK Hynix加快發展3D DRAM

編譯／施毓萱

全球DRAM領導者三星電子(Samsung Electronics)和SK Hynix正在加快3D DRAM的商業化進程，預計今年將大規模生產的12奈米線寬DRAM。然而，在DRAM行業排名第三的美光(Micron)自2019年以來已經開始研究3D DRAM，而其獲得的專利數量是這兩家韓國晶片製造商的兩到三倍。

3D DRAM是一種具有新結構的記憶體晶片(memory chip)，且打破了目前的老化模式。現有的DRAM產品開發的重點是通過減少電路線寬來加強整合，但隨著線寬進入10奈米範圍，物理上的限制就會明顯增加。為了防止這種情況，新的材料和設備就顯得相當重要，但半導體產業普遍認為晶片小型化將為產業帶來巨大挑戰。

雖說如此，這並不會打及韓國企業的信心。2021年韓國的半導體公司正式開始談論3D DRAM的發展，與此同時三星在公司內部建立了下一代工藝開發團隊開始進行研究。而近期三星和SK Hynix的半導體高階管理層也紛紛針對該議題提出看法。三星半導體研究中心副總裁Lee Jong-myung認為3D DRAM是半導體行業未來的增長動力，而SK Hynix則表示明年會揭開3D DRAM與電相關的特性，並決定發展方向。

資料來源:BUSINESS KOREA

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