磁性記憶體技術突破　台站穩半導體全球先驅

經濟部技術處推動AI人工智慧、5G與AIoT等科技加速發展，支持工研院建立深厚的前瞻記憶體研發能量，近來喜訊頻傳，工研院與產學界共同在VLSI發表世界頂尖磁性記憶體技術，可望加速產業躋身下世代記憶體技術領先群，維持臺灣半導體在國際不可或缺的地位。

工研院宣布與台積電開發「自旋軌道扭矩磁性記憶體陣列晶片」，具備高寫入效率與低寫入電壓SOT-MRAM技術，並達成0.4奈秒高速寫入、7兆次讀寫之高耐受度，還有超過10年資料儲存能力等特性的技術，未來可整合成先進製程嵌入式記憶體，在AI人工智慧、車用電子、高效能運算晶片等領域具有極佳的前景。

工研院「科技產業經營高階主管研習班」第九期即將開課，提供高階主管必備綜觀全局的能力，力邀台積電、資誠、遠傳電信、研華科技、台灣創生平台等科技產業專家，提供獨家的科技產業趨勢與布局經驗。(圖/工研院)

同時，工研院與長期密切合作的國立陽明交通大學，今年也在VLSI共同發表新興磁性記憶體的高效能運作技術。優化自旋轉移矩磁性記憶體（Spin-Transfer-Torque MRAM；STT-MRAM）的多層膜與元件，提高寫入速度、縮短延遲、降低寫入電流與增高使用次數等特色，在127度到零下269度範圍內，具有穩定且高效能的資料存取能力，工作溫度橫跨近400度的多功能磁性記憶體是首次被實驗驗證，未來在量子電腦、航太領域等前瞻應用與產業上潛力強大。

經濟部技術處指出，製程微縮是在半導體先進製程的重要趨勢，在此趨勢之下，磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）具有可微縮至22奈米以下的潛力，而且擁有高讀寫速度、低耗電，斷電後仍可保持資料特性，特別適用於嵌入式記憶體的新興領域；國內產業、學界攜手投入產業化，共同展現創新的強項，為台廠前進新世代記憶體鋪下康莊大道。（記者／白水曉）

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