美光新廠曝光，董座盧東暉提3大目標加碼投資台灣，導入EUV更快實現量產
記憶體大廠美光科技（Micorn）日前啟用位於后里的A3廠區，將在今年引進美光第一台EUV（極紫外光）設備，2月才甫上任的前段製造企業副總裁暨台灣美光董事長盧東暉還表示，美光還預計在台中設置研發走廊，完成1Γ（gamma）節點開發，將持續加碼投資台灣，未來2至3年將增加2000人。
EUV已經成為先進製程不可或缺的重要設備，應用於曝光過程。根據《日經亞洲》報導，美光的競爭對手三星及SK海力士，都已決定要引入EUV，為量產下一代DRAM準備。
導入EUV搶先佈局，1Γ將在2024量產
盧東暉在今（10）舉辦的媒體見面會中表示：「EUV這麼早進來就是為了研發走廊，主要目的是積累製造經驗，讓1Γ節點未來投入量產時的速度更快。」1Γ製程將是研發走廊的首要任務。盧東暉同時也揭露了路徑時程，1Γ預計將在2024年開始量產。
雖然EUV設備要價不低、操作複雜，過去台灣僅有台積電導入使用。不過，其背後製造商艾司摩爾（ASML），於2020年時已在台南成立全球培訓中心，專門訓練工程師操作EUV機台。
盧東暉說：「現在是引入EUV的好時機，從曝光機、光罩到人員培訓等生態系都已經成熟。」顯見美光背後的考量。
至於美光會不會擔心，採用耗電量高的EUV設備將難以實現永續性？盧東暉坦言，EUV的確耗電量大，但他正持續的與政府部門溝通中，期望公部門能給予協助，實現美光將於2025年走向零碳排放的承諾。
前英特爾戰將轉換陣營，盧東暉親口說明原因
盧東暉是台灣女婿，過去為英特爾大將，曾成功帶領英特爾團隊，完成與美光聯合開發的3D NAND 快閃記憶體，以及Optane技術節點移轉；並帶領英特爾3D NAND快閃記憶體團隊，開發浮柵式NAND快閃記憶體。
問起盧東暉為何想加入美光，他明確回答：「我從事半導體行業20多年，只剩DRAM還沒碰過，而美光這裡有最先進的DRAM技術，非常吸引我。」
盧東暉也分享了到職後的三大目標：加速先進技術在台灣的量產、促進本土生態系和供應鏈的成長、以及培養更多本土人才。
在先進技術量產的方面，盧東暉指出，美光1β（beta）製程會在年底於日本量產，並移轉至台灣。至於1Γ製程方面，僅確認量產地為台灣，是否在台試產則還在考量當中。
另外，對於本土供應鏈的建立，盧東暉認為：「本土供應鏈可以加快週期，服務也會比較便利。」他進一步表示，這裡指的不僅是指台廠，他希望也能吸引外國企業來台落腳，包含設備、材料貨零件供應商等方面都能更加完備。
最後，盧東暉談到，美光投資台灣20多年，已經突破一萬名員工，而在未來幾年之內，計畫將持續招募約2000名生力軍。
不過盧東暉也強調，隨著摩爾定律越來越困難，也必須藉由人才培育，強化員工能力。舉凡智慧工廠的設備控制、EUV機台的操作等，都將為未來培養範疇。
文：邱品蓉 / 責任編輯：吳秀樺
※本文授權轉載自數位時代
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