提升光記憶體效能  下一代通訊技術重點

為滿足未來大數據傳輸需求，許多國際廠商已相繼投資光通訊技術，其中，開發能快速響應的光記憶體將是一大關鍵；國立成功大學光電系助理教授陳蓉瑶結合自身對有機材料、太陽能電池、浮閘記憶體等相關先備知識，著眼太陽能電池領域的熱門材料「鈣鈦礦」優異光電效應表現，率先學界將其製作為光記憶體的浮閘材料，顯著縮短光記憶體的光照寫入時間。

透過光照就能寫入、儲存資訊的「光記憶體」具備低能耗、適合長途傳輸優勢，是推進下一世代通訊技術發展重要一環；深耕光記憶體研製的陳蓉瑶引入在太陽能電池領域性質優異的鈣鈦礦材料作為光記憶體元件，成功將 30 秒的寫入時間縮短為 0.005 秒。

而近期她的團隊採用「有機金屬磷光材料」改善鈣鈦礦材料穩定性較差的特點，突顯優良記憶效應，將有利於光通訊技術（Light Fidelity）、光子積體電路（Photonic Integrated Circuit）和記憶體內運算（In-memory Computing）的未來發展。

陳蓉瑶指出，光記憶體在結構上類似於現在廣泛應用於積體電路元件中的「浮閘記憶體」，但有別於一般浮閘記憶體仰賴電力在閘極、汲極、源極三端點產生電場，達到驅動目的；「光記憶體」則可以在無供給電力的狀況下，僅以光照就達到資訊「寫入」效果。

目前光記憶體雖未進展至純靠光照就達到資料儲存與抹除的效果，但由電力改為光照的趨勢下，將使記憶體的讀取速度更快、穩定度也可以大大提升；陳蓉瑤表示，此研究首次發現有機金屬錯合物之長激發子壽命於開發光記憶體的益處，2022 年 8 月發表於國際期刊「先進功能材料」，未來更可藉由調整化學結構進一步優化光記憶體的電性表現，具有很大的發展空間。（記者／白水堯）

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