台積電年底收大禮!ASML最新曝光機將到貨 半導體技術有望再突破

記者 鄧天心/綜合報導

根據日經亞洲的報導,台積電(TSMC)預計在年底前收到荷蘭半導體設備公司ASML最新的高數值孔徑極紫外(High NA EUV)微影曝光機,價格高達3億5000萬美元(約新台幣111億6500萬元),相當於3架F-35戰鬥機的價格,台積電計劃將該設備安裝於其新竹總部附近的研發中心。

台積電(TSMC)預計在年底前收到荷蘭半導體設備公司ASML最新的高數值孔徑極紫外(High NA EUV)微影曝光機。圖片來源:123RF

據消息人士透露,台積電可能會在A10製程研發完成後,才會考慮將High NA EUV曝光機投入生產,A10製程的技術將比目前即將推行的2奈米製程更推進兩個世代,而台積電預計最早在明年底前開始量產2奈米製程的晶片,所以真正實現High NA EUV的量產預計要到2030年之後。

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唯一三家使用High NA EUV技術:英特爾、三星和台積電

台積電的引進High NA EUV曝光機的時間比美國對手英特爾(Intel)略晚幾個月,與此同時,英特爾已在其位於美國俄勒岡州的研發中心率先安裝了High NA EUV曝光機,並正在密集測試中,目標加速進入商業化生產。

英特爾計劃在2027年前讓High NA EUV曝光機投入商業生產,但為了專注於自身技術研發,英特爾近年將部分中央處理器(CPU)的生產委託台積電代工,以騰出資源專注於其未來技術開發。

此外,三星也計劃在2025年第一季安裝其第一台High NA EUV微影曝光機,目前,英特爾、三星和台積電是唯一三家使用High NA EUV技術生產先進晶片的公司。

然而,即便獲得ASML最先進的微影設備,也並不意味著這些企業能夠順利進入微奈米製程領域,各大半導體廠商仍需投入大量資金來開發先進封裝技術,以便能夠整合更多晶片,High NA EUV相較於傳統EUV能提供更精細的成像,因此晶片設計也必須進行相應調整,此外,由於High NA EUV設備體積較大,晶圓廠可能需要重新規劃生產線或建立新廠來容納這些先進設備。

美國目前也正在投資EUV技術研究,目的要重塑國內的半導體供應鏈,雖然這些計畫可能需要數年甚至數十年的時間才能實現,但將為晶片製造商提供更多選擇,並促進半導體產業的良性競爭與進步。

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