台積電年底收大禮！ASML最新曝光機將到貨 半導體技術有望再突破

記者 鄧天心／綜合報導

根據日經亞洲的報導，台積電（TSMC）預計在年底前收到荷蘭半導體設備公司ASML最新的高數值孔徑極紫外（High NA EUV）微影曝光機，價格高達3億5000萬美元（約新台幣111億6500萬元），相當於3架F-35戰鬥機的價格，台積電計劃將該設備安裝於其新竹總部附近的研發中心。

據消息人士透露，台積電可能會在A10製程研發完成後，才會考慮將High NA EUV曝光機投入生產，A10製程的技術將比目前即將推行的2奈米製程更推進兩個世代，而台積電預計最早在明年底前開始量產2奈米製程的晶片，所以真正實現High NA EUV的量產預計要到2030年之後。

更多新聞：美國《晶片法》拖了又拖 英特爾CEO嘆：一分錢都沒見到

唯一三家使用High NA EUV技術：英特爾、三星和台積電

台積電的引進High NA EUV曝光機的時間比美國對手英特爾（Intel）略晚幾個月，與此同時，英特爾已在其位於美國俄勒岡州的研發中心率先安裝了High NA EUV曝光機，並正在密集測試中，目標加速進入商業化生產。

英特爾計劃在2027年前讓High NA EUV曝光機投入商業生產，但為了專注於自身技術研發，英特爾近年將部分中央處理器（CPU）的生產委託台積電代工，以騰出資源專注於其未來技術開發。

此外，三星也計劃在2025年第一季安裝其第一台High NA EUV微影曝光機，目前，英特爾、三星和台積電是唯一三家使用High NA EUV技術生產先進晶片的公司。

然而，即便獲得ASML最先進的微影設備，也並不意味著這些企業能夠順利進入微奈米製程領域，各大半導體廠商仍需投入大量資金來開發先進封裝技術，以便能夠整合更多晶片，High NA EUV相較於傳統EUV能提供更精細的成像，因此晶片設計也必須進行相應調整，此外，由於High NA EUV設備體積較大，晶圓廠可能需要重新規劃生產線或建立新廠來容納這些先進設備。

美國目前也正在投資EUV技術研究，目的要重塑國內的半導體供應鏈，雖然這些計畫可能需要數年甚至數十年的時間才能實現，但將為晶片製造商提供更多選擇，並促進半導體產業的良性競爭與進步。

瀏覽 424 次